《msp430系列flash型超低功耗16位单片机》
p92 wdtctl的位定义中，cntcl误写为cnctt。
《msp430系列单片机接口技术及系统设计实例》
*p1 125us改为125ns
*p3 f123 a/d转换器类型 adc10应改为slope。
*p5 第19行及p14第14行，ksps误写为kbps错误。
*p46 倒数第六行0fffa改为0fffea
*p47 倒数第六行0fffa改为0fffea
*p47 表2.6中倒数第五行0ffe4改为0ffe8a。
*p47 表2.7中倒数第五行0ffe4改为0ffe8a。
*p80 第5行、第9行“取消”改为“取反”
*p85 第8行、第11行bit #mask，0sp改为bit #mask，0(sp)
*p87 倒数第二行pc应指向0fa32h
*p155 第10行：mclk系统主时钟应改为：smclk子系统时钟
*p280 的lcd pinout列中，有一个2e误写为de错误。
*p319 第14行：rop应改为：pop r9
《msp430系列16位超低功耗单片机原理与应用》
1、p4：从下往上的第16行，最大约为25ma，应改为6ma
2、p4：冲下往上的第15行，200kb/s，应改为200ksps
3、p7、从上往下的第8行，闪速微控制器，应改为“flash微控制器”
4、p11、关于x11x系列的超低功耗说明中
5、p11、3ua @4khz，2.2v
6、p11、250ua @1khz，2.2v应改为160ua @1khz，2.2v;
7、p11、等待方式0.8ua应改为0.7ua;
8、p11、从等待方式唤醒时间6us，应改为小于6us;
9、p13：从下往上地3格，p2.3/ta1的说明中捕获cci1b输入应该删除
10、p14：从下往上地24行，3ua @4khz，2.2v
11、p14：从下往上第19行，从等待方式唤醒时间6us，应改为小于6us;
12、p17：从上往下第2行，2.5ua @4khz，2.2v
13、p17：从上往下第7行，从等待方式唤醒时间6us，应改为小于6us;
p17：从上往下第14行，12位200kbps应改为200ksps;
14、p19：p2.3/ca0/ta1：通用数字i/o引脚/timer_a，cci1b输入，比较：out1输出
改为p2.3/ca0/ta1：通用数字i/o引脚/timer_a，比较：out1输出
15、p20：从下往上第5行，从等待方式唤醒时间6us，应改为小于6us;
16、p21：从上往下第3行，12位200kbps应改为200ksps
17、p22：p2.3/ca0/ta1：通用数字i/o引脚/timer_a，cci1b输入，比较：out1输出
改为p2.3/ca0/ta1：通用数字i/o引脚/timer_a，比较：out1输出
18、p24：活动模式330ua @1khz，2.2v应改为：280ua @1khz，2.2v;
待机模式1.1ua；应改为1.6ua
关闭模式（ram保持）：0.2ua应改为0.1ua;
19、p30：从上往下第7行，
220ua @1mhz，2.2v应改为：200ua@1mhz，2.2v;
20、p30：从上往下第13行，150ns指令周期应改为125ns
21、p33：从下往上第12行，150ns指令周期应改为125ns
22、p33：从下往上第11行，最好分开写，因为timer_b有3或7个捕获/比较寄存器
23、p37：从下往上第8行，最好分开写，因为timer_b有3或7个捕获/比较寄存器
24、p45：中间表格的引导存储器（flash）的flash应改为rom
25、p123：从下往上第7行，只有“工作于高频模式才需要外接电容”应改为“工作于高频模式时一定需要外接电容”
26、p130：对于xt2off
0关闭xt2应改为打开xt2
1打开xt2应改为关闭xt2
27、p139：中间的最大约25ma应改为6ma
28、p233：中间的图发送缓冲器“uxrxbuf”应改为“uxtxbuf”
29、p234：中间的图发送缓冲器“uxrxbuf”应改为“uxtxbuf”
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